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IXTP 02N50D
IXTU 02N50D
IXTY 02N50D
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-220 AD Outline
g fs
V DS = 50 V; I D = 200 mA
Note1
100
150
mS
C iss
120
pF
C oss
C rss
V GS = -10 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
25
5
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
V ds
V gs
R G
= 100 V V, I D = 50 mA
= 0 V to -10
= 30 Ω (External)
9
4
28
ns
ns
ns
t f
R thJC
R thCS
TO-220
45
0.25
5
ns
K/W
K/W
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
TAB - Drain
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V SD
t rr
V GS = -10 V, I F = 200 mA
I F = 0.75 A, -di/dt = 10 A/ μ s,
V DS = 25 V, V GS = -10V
Note1
0.7
1.5
1.0
V
μ s
Note1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
TO-252 AA Outline
TO-251 AA Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
b1
b2
0.76 1.14
5.21 5.46
0.030 0.045
0.205 0.215
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
TAB - Drain
c
c1
0.46 0.58
0.46 0.58
0.018 0.023
0.018 0.023
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
5.97 6.22
4.32 5.21
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.235 0.245
0.170 0.205
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370 0.410
0.020 0.040
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
2.19
0.89
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
6.35
2.38
1.14
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
6.73
.086
0.35
.025
.030
.205
.018
.018
.235
.250
.094
.045
.035
.045
.215
.023
.023
.245
.265
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
TAB - Drain
L1
L2
L3
0.64 1.02
0.89 1.27
2.54 2.92
0.025 0.040
0.035 0.050
0.100 0.115
e
e1
H
2.28
4.57
17.02
BSC
BSC
17.78
.090
.180
.670
BSC
BSC
.700
L
L1
L2
L3
8.89
1.91
0.89
1.15
9.65
2.28
1.27
1.52
.350
.075
.035
.045
.380
.090
.050
.060
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
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相关代理商/技术参数
IXTP05N100
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IXTP05N100M
功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP05N100P
功能描述:MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP06N120P
功能描述:MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP08N100D2
功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP08N100P
功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP08N120P
功能描述:MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IXTP08N50D2
功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube